Разработан новый тип встроенной памяти, занимающей в два раза меньше места на чипе

Совместная группа исследователей Высшей технической школы Лозанны (Швейцария) и Университета имени Бар-Илана (Израиль) сделала важный шаг в направлении миниатюризации вычислительных устройств благодаря новой конструкции, которая сокращает площадь памяти на кристалле кремния на 50%, одновременно снижая энергопотребление.

Разработчики назвали технологию GC-eDRAM. Другие типы eDRAM – встроенной памяти на основе конденсаторов – известны довольно давно и используются в устройствах, где требуется большой объём быстрой памяти при ограниченных габаритах, например, в игровых приставках. Широкое применение eDRAM сдерживает то обстоятельство, что производственный процесс изготовления микросхем с использованием этой технологии отличается от традиционных и требует дополнительных дорогостоящих операций.

Технология GC-eDRAM напротив, позволяет изготавливать микросхемы различных типов, используя те же технологические линии, что и при производстве чипов с традиционными DRAM модулями. Тестирование, проведённое совместно с ведущими производителями элементной базы это подтвердило.

По словам разработчиков, ячейка памяти включает 2-3 транзистора против традиционных 5-6 транзисторов. Технология защищена шестью патентами, оформленных на специально созданный стартап, который назвали RAAAM. Стартап планирует продавать свою технологию через лицензионные соглашения. Основатели RAAAM – все они являются экспертами по системам памяти - считают, что их технология может занять значительную долю на огромном рынке элементов со встроенной памятью.