IBM и Samsung объявили о совместной разработке транзисторов с вертикальным транспортным полевым эффектом (VTFET)

Официальные лица IBM и Samsung объявили на конференции IEDM в Сан-Франциско о совместной работе над новым проектом микросхемы на основе кремния, в котором транзисторы добавляются на кристалле вертикально.

В рамках своего заявления они предположили, что их транзисторы с вертикальным транспортным полевым эффектом могут удвоить скорость процессорных микросхем или, альтернативно, снизить потребляемую мощность на 85 процентов.

Для инженеров давно очевидно, что в практическом смысле этот шаг был неизбежен. Конструкция VTFET, разработанная IBM и Samsung, все еще находится в стадии разработки – пока нет никаких микросхем для установки в действующие компьютеры, но она знаменует начало новой эры в вычислительной технике.

Новые компьютеры и другие цифровые устройства, такие как телефоны и планшетные компьютеры не только будут работать быстрее, но и потреблять гораздо меньше энергии. Это связано с тем, что вертикальная конструкция позволяет сократить путь, по которому электроны должны будут перемещаться при передаче сигналов между транзисторами.

Нет сомнения, что в других высокотехнологичных корпорациях, таких, например, как Intel, также разрабатываются подобные технологии, но официальных заявлений от них пока не поступало.

Остаётся констатировать, что слухи о близкой кончине закона Мура всё ещё сильно преувеличены.